音信称三星第 2 代3nm GAA 工艺良率已改善

IT之家 12 月 12 日音信，韩媒 chosun 昨日（12 月 11 日）发布博文，报谈称三星电子高管表示，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺投入褂讪阶段，并称 System SLI 和代工场功绩部之间已达成“相互推诿牵扯”，改而合营鼓励新芯片商用。

Exynos 2500 的研发意见是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圆代工（ Foundry）功绩部 3 纳米制程良率低下的制约，以及性能方面过时于高通骁龙系列的要素，导致扫数这个词迁移 AP 业务堕入危急。

而最新音信称三星已惩办 3 纳米良率问题，为 Exynos 2500 的诈欺铺平了谈路，但论说中并未说起具体良率比例。

图源：三星

三星电子高管向该媒体表示，IT之家翻译如下：

在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中，初次诈欺了全环绕晶体管（GAA）技艺，确乎在量产方面际遇了一些不毛。

但当今工艺照旧褂讪，启动量产仅仅时刻问题。由于初期产量不及，Galaxy S25 系列可能难以搭载该技艺，但 Z Flip 系列（应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）透彻不错搭载该芯片。

一直以来，Exynos 2500 的交易化之路并不奏凯，晶圆代工功绩部和系统 LSI 功绩部之间相互推诿牵扯是事实。然则当今，为了褂讪工艺，两边已达成条约，最大扬弃地加强合营。